WSD40120DN56G N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD40120DN56G N-saluran 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Bagian:WSD40120DN56G

BVDSS:40V

ID:120A

RDSON:1,4mΩ 

Saluran:N-saluran

Paket:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Ringkesan produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD40120DN56G MOSFET yaiku 40V, saiki yaiku 120A, resistensi yaiku 1.4mΩ, saluran kasebut saluran N, lan paket kasebut yaiku DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pangisi daya nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pangisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga cilik, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET cocog karo nomer materi merek liyane

AOS MOSFET AON6234, AON6232, AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC496X.

paramèter MOSFET

Simbol

Paramèter

Rating

Unit

VDS

Drain-Sumber Tegangan

40

V

VGS

Gate-Source Tegangan

±20

V

ID@TC=25

Arus Saluran Kontinu, VGS@10V1

120

A

ID@TC=100

Arus Saluran Kontinu, VGS@10V1

82

A

IDM

Pulsed Drain Current2

400

A

EAS

Energi Longsor Pulsa Tunggal3

400

mJ

IAS

Arus Longsor

40

A

PD@TC=25

Total Power Dissipation4

125

W

TSTG

Kisaran Suhu Panyimpenan

-55 kanggo 150

TJ

Kisaran Suhu Operating Junction

-55 kanggo 150

 

Simbol

Paramèter

kahanan

Min.

Tipe.

Maks.

Unit

BVDSS

Tegangan Pecah Sumber Saluran VGS= 0V, akuD= 250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi kanggo 25, akuD= 1 mA

---

0.043

---

V/

RDS (ON)

Statis Saluran-Sumber On-Resistance2 VGS = 10 V, ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS (ON)

Statis Saluran-Sumber On-Resistance2 VGS = 4,5 V, ID=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, akuD= 250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20 V, VDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Transkonduktansi Maju VDS= 5 V, akuD=20A

---

53

---

S

Rg

Resistance Gate VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

Total Gate Charge (10V) VDS= 15 V, VGS= 10 V, ingD=20A

---

45

---

nC

Qgs

Gate-Sumber Daya

---

12

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

18.5

---

Td (ing)

Wektu Tundha Aktifake VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG=3.3Ω, akuD=20A, RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Wektu Rise

---

9

---

Td (mati)

Wektu Tundha Pateni

---

58.5

---

Tf

Tiba Wektu

---

32

---

Ciss

Kapasitansi Input VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz --- 3972 ---

pF

Coss

Kapasitansi Output

---

1119 ---

Crss

Kapasitansi Transfer Mbalik

---

82

---

  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

  • Tulis pesen ing kene lan kirim menyang kita