WSD4098 Dual N-Channel 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Iki minangka bank daya nirkabel magnetik sing kanthi otomatis ngenali telpon Apple lan ora mbutuhake aktivasi tombol.Iku nyawiji 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC input lan output protokol pangisian daya cepet.Iki minangka produk bank daya nirkabel sing kompatibel karo konverter boost / step-down sinkron telpon seluler Apple / Samsung, manajemen pangisian daya baterei Li, indikasi daya tabung digital, pangisi daya nirkabel magnetik lan fungsi liyane.

Nomer Model:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7,8mΩ

ID:22A

Saluran:Dual N-Channel

Paket:DFN5*6-8

Produk Summery:Tegangan WSD4098 MOSFET yaiku 40V, saiki 22A, resistensi 7.8mΩ, saluran kasebut Dual N-Channel, lan paket kasebut DFN5 * 6-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, drone, perawatan medis, pangisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen.

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

WSD4098DN56 minangka trench Dual N-Ch MOSFET kinerja paling dhuwur kanthi kapadhetan sel dhuwur banget, sing nyedhiyakake RDSON lan biaya gerbang sing apik kanggo umume aplikasi konverter buck sinkron.WSD4098DN56 nyukupi syarat RoHS lan Produk Ijo 100% EAS dijamin kanthi linuwih fungsi sing disetujoni.

Fitur

Teknologi Trench kapadhetan sel dhuwur sing canggih, Ngisi Gate Super Low, Efek CdV/dt sing Apik banget, Dijamin EAS 100%, Piranti Ijo Kasedhiya

Aplikasi

Titik Beban Frekuensi Dhuwur Sinkron, Konverter Buck kanggo MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Daya DC-DC Jaringan, Saklar Beban, Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, drone, perawatan medis, pangisi daya mobil, pengontrol, digital produk, piranti kluwarga cilik, elektronik konsumen.

nomer materi sing cocog

AOS AON6884

Paramèter penting

Simbol	Parameter		Rating	Unit
Rating umum
VDSS	Drain-Sumber Tegangan		40	V
VGSS	Tegangan Gate-Sumber		±20	V
TJ	Suhu Junction maksimum		150	°C
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan		-55 kanggo 150	°C
IS	Arus Maju Terus Dioda	TA=25°C	11.4	A
ID	Arus Saluran Terus	TA=25°C	22	A
ID	Arus Saluran Terus			A
		TA=70°C	22
Aku DM b	Pulse Drain Saiki Diuji	TA=25°C	88	A
PD	Boros Daya Maksimum	T. = 25°C	25	W
PD	Boros Daya Maksimum	TC=70°C	10	W
RqJL	Thermal Resistance-Junction kanggo Lead	Steady State	5	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t £10s	45	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	Steady State b	90	°C/W
AKU AS d	Arus Longsor, Pulsa tunggal	L=0,5mH	28	A
E AS d	Energi Longsor, Pulsa tunggal	L=0,5mH	39.2	mJ

Simbol	Parameter	Syarat Test		Min.	Tipe.	Maks.	Unit
Karakteristik statis
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) e	Drain-Sumber On-Negara Resistance	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Drain-Sumber On-Negara Resistance	VGS=4.5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Karakteristik Dioda
V SD e	Tegangan Maju Dioda	ISD=1A, VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	Wektu Recovery mbalikke	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Reverse Recovery daya	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Karakteristik Dinamis f
RG	Resistance Gate	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Kapasitansi Input	VGS = 0 V, VDS = 20 V, Frekuensi = 1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Kapasitansi Output			-	317	-
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik			-	96	-
td (ON)	Ngaktifake Wektu Tundha	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Nguripake Wektu Rise			-	8	-
td (OFF)	Pateni Wektu Tundha			-	30	-
tf	Pateni Wektu Tiba			-	21	-
Karakteristik Gate Charge f
Qg	Total Biaya Gate	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Total Biaya Gate	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Pengisian Gate Threshold			-	2.6	-
Qgs	Gate-Sumber Daya			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-