WSD6060DN56 N-saluran 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Bagian:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5mΩ

Saluran:N-saluran

Paket:DFN5X6-8

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Ringkesan produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD6060DN56 MOSFET yaiku 60V, saiki yaiku 65A, resistensi yaiku 7.5mΩ, saluran kasebut saluran N, lan paket kasebut DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pangisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pangisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga cilik, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET cocog karo nomer materi merek liyane

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.

paramèter MOSFET

Simbol	Paramèter		Rating	Unit
Rating umum
VDSS	Drain-Sumber Tegangan		60	V
VGSS	Tegangan Gate-Sumber		±20	V
T_J	Suhu Junction maksimum		150	°C
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan		-55 kanggo 150	°C
I_S	Arus Maju Terus Dioda	T_c=25°C	30	A
ID	Arus Saluran Terus	T_c=25°C	65	A
ID	Arus Saluran Terus	T_c=70°C	42	A
Aku DM b	Pulse Drain Saiki Diuji	T_c=25°C	250	A
P_D	Boros Daya Maksimum	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Boros Daya Maksimum	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Thermal Resistance-Junction kanggo Lead	Steady State	2.1	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	Steady State^b	50	°C/W
AKU AS^d	Arus Longsor, Pulsa tunggal	L=0,5mH	18	A
E AS d	Energi Longsor, Pulsa tunggal	L=0,5mH	81	mJ

Simbol	Paramèter	Syarat Test		Min.	Tipe.	Maks.	Unit
Karakteristik statis
BV_DSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	V_GS= 0V, aku_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	V_DS= 48 V, V_GS= 0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	V_DS=V_GS, aku_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Gerbang	V_GS= ± 20 V, V_DS= 0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	Drain-Sumber On-Negara Resistance	V_GS= 10 V, ing_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Drain-Sumber On-Negara Resistance	V_GS= 4,5 V_DS= 15 A		-	10	15	m W
Karakteristik Dioda
V SD	Tegangan Maju Dioda	I_SD= 1A, V_GS= 0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	Wektu Recovery mbalikke	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Reverse Recovery daya	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Karakteristik Dinamis^3,4
R_G	Resistance Gate	V_GS= 0 V, V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Kapasitansi Input	V_GS= 0 V, V_DS= 30 V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Kapasitansi Output			-	270	-
C_rss	Kapasitansi Transfer Mbalik			-	40	-
td (ON)	Aktifake Wektu Tundha	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Nguripake Wektu Rise			-	6	-
td (OFF)	Pateni Wektu Tundha			-	33	-
t_f	Pateni Wektu Tiba			-	30	-
Karakteristik Gate Charge ^3,4
Q_g	Total Biaya Gate	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Total Biaya Gate	V_DS= 30 V, V_GS= 10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Pengisian Gate Threshold			-	4.1	-
Q_gs	Gate-Sumber Daya			-	5	-
Q_gd	Gate-Drain Charge			-	4.2	-