WSD60N10GDN56 N-saluran 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD60N10GDN56 N-saluran 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Bagian:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

ID:60A

RDSON:8,5mΩ

Saluran:N-saluran

Paket:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Ringkesan produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD60N10GDN56 MOSFET yaiku 100V, saiki yaiku 60A, resistensi yaiku 8.5mΩ, saluran kasebut saluran N, lan paket kasebut yaiku DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pangisi daya nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pangisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga cilik, MOSFET elektronik konsumen.

Kolom aplikasi MOSFETWINSOK MOSFET cocog karo nomer materi merek liyane

AOS MOSFET AON6226 ,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC92X.

paramèter MOSFET

Simbol

Paramèter

Rating

Unit

VDS

Drain-Sumber Tegangan

100

V

VGS

Tegangan Gate-Sumber

±20

V

ID@TC=25 ℃

Arus Saluran Terus

60

A

IDP

Pulsed Drain Current

210

A

EAS

Energi Longsor, Pulsa tunggal

100

mJ

PD@TC=25 ℃

Total Power Dissipation

125

W

TSTG

Kisaran Suhu Panyimpenan

-55 kanggo 150

TJ 

Kisaran Suhu Operating Junction

-55 kanggo 150

 

Simbol

Paramèter

kahanan

Min.

Tipe.

Maks.

Unit

BVDSS 

Tegangan Pecah Sumber Saluran VGS= 0V, akuD= 250uA

100

---

---

V

  Statis Saluran-Sumber On-Resistance VGS=10V,ID=10A.

---

8.5

10. 0

RDS (ON)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

9.5

12. 0

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, akuD= 250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ=25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS= ± 20 V, VDS= 0V

---

---

± 100

nA

Qg 

Total Gate Charge (10V) VDS= 50 V, VGS= 10 V, ingD= 25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Gate-Sumber Daya

---

6.5

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

12.4

---

Td (ing)

Wektu Tundha Aktifake VDD= 50 V, VGS= 10 V,RG= 2,2Ω, ID= 25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Wektu Rise

---

5

---

Td (mati)

Wektu Tundha Pateni

---

51.8

---

Tf 

Tiba Wektu

---

9

---

Ciss 

Kapasitansi Input VDS= 50 V, VGS=0V, f=1MHz

---

2604

---

pF

Coss

Kapasitansi Output

---

362

---

Crss 

Kapasitansi Transfer Mbalik

---

6.5

---

IS 

Sumber Terusan Saiki VG=VD= 0V, Daya Arus

---

---

60

A

ISP

Sumber Pulsed Arus

---

---

210

A

VSD

Tegangan Maju Dioda VGS= 0V, akuS= 12A, TJ=25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Wektu Recovery mbalikke IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Reverse Recovery daya

---

106.1

---

nC


  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

  • Tulis pesen ing kene lan kirim menyang kita