WSD75100DN56 N-saluran 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD75100DN56 N-saluran 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Bagian:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ID:100A

RDSON:5,3mΩ 

Saluran:N-saluran

Paket:DFN5X6-8


Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Ringkesan produk WINSOK MOSFET

Tegangan saka WSD75100DN56 MOSFET punika 75V, saiki punika 100A, resistance punika 5.3mΩ, saluran N-saluran, lan paket punika DFN5X6-8.

Area aplikasi WINSOK MOSFET

MOSFET e-rokok, MOSFET pangisi daya nirkabel, MOSFET drone, MOSFET perawatan medis, MOSFET pangisi daya mobil, MOSFET pengontrol, MOSFET produk digital, MOSFET peralatan rumah tangga cilik, MOSFET elektronik konsumen.

WINSOK MOSFET cocog karo nomer materi merek liyane

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3NEG7NSFET. .

paramèter MOSFET

Simbol

Parameter

Rating

Unit

VDS

Drain-Sumber Tegangan

75

V

VGS

Gate-Source Tegangan

±25

V

TJ

Suhu Junction maksimum

150

°C

ID

Kisaran Suhu Panyimpenan

-55 kanggo 150

°C

IS

Arus Maju Terus Dioda, TC=25°C

50

A

ID

Arus Saluran Kontinu, VGS= 10 V, TC=25°C

100

A

Arus Saluran Kontinu, VGS= 10 V, TC=100°C

73

A

IDM

Pulsed Drain Current, TC=25°C

400

A

PD

Disipasi Daya Maksimum, TC=25°C

155

W

Disipasi Daya Maksimum, TC=100°C

62

W

RθJA

Resistansi Termal-Junction to Ambient ,t = 10s ̀

20

°C

Thermal Resistance-Junction to Ambient, Steady State

60

°C

RqJC

Thermal Resistance-Junction kanggo Case

0.8

°C

IAS

Arus Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH

30

A

EAS

Energi Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH

225

mJ

 

Simbol

Parameter

kahanan

Min.

Tipe.

Maks.

Unit

BVDSS

Tegangan Pecah Sumber Saluran VGS= 0V, akuD= 250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSKoefisien Suhu Referensi kanggo 25, akuD= 1 mA

---

0.043

---

V/

RDS (ON)

Statis Saluran-Sumber On-Resistance2 VGS = 10 V, ID= 25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Tegangan Ambang Gerbang VGS=VDS, akuD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koefisien Suhu

---

-6.94

---

mV/

IDSS

Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±20 V, VDS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

Transkonduktansi Maju VDS= 5 V, akuD=20A

---

50

---

S

Rg

Resistance Gate VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Total Gate Charge (10V) VDS= 20 V, VGS= 10 V, ingD=40A

---

65

85

nC

Qgs

Gate-Sumber Daya

---

20

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

17

---

Td (ing)

Wektu Tundha Aktifake VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, akuD=1A,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Wektu Rise

---

14

26

Td (mati)

Wektu Tundha Pateni

---

60

108

Tf

Tiba Wektu

---

37

67

Ciss

Kapasitansi Input VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Kapasitansi Output

245

395

652

Crss

Kapasitansi Transfer Mbalik

100

195

250


  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

  • Tulis pesen sampeyan ing kene lan kirimake menyang kita