WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Model:WSF70P02

BVDSS:-20 V

RDSON:6,8mΩ

ID:-70A

Saluran:Saluran P

Paket:TO-252

Produk Summery:MOSFET WSF70P02 nduweni voltase -20V, saiki -70A, resistensi 6.8mΩ, P-Channel, lan kemasan TO-252.

Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, serep daya, drone, perawatan kesehatan, pangisi daya mobil, pengontrol, elektronik, peralatan, lan barang konsumen.

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

WSF70P02 MOSFET minangka piranti trench saluran P sing paling dhuwur kanthi kapadhetan sel sing dhuwur.Nawakake RDSON lan gapura sing luar biasa kanggo aplikasi konverter buck sinkron.Piranti kasebut nyukupi syarat RoHS lan Produk Ijo, dijamin 100% EAS, lan wis disetujoni kanggo linuwih fungsi lengkap.

Fitur

Teknologi Trench Lanjut kanthi kapadhetan sel sing dhuwur, pangisi daya gerbang super murah, pangurangan efek CdV/dt sing apik, jaminan 100% EAS, lan pilihan kanggo piranti sing ramah lingkungan.

Aplikasi

Titik-beban Frekuensi Tinggi Sinkron, Konverter Buck kanggo MB/NB/UMPC/VGA, Sistem Daya DC-DC Jaringan, Saklar Beban, Rokok E, pangisi daya nirkabel, motor, pasokan listrik darurat, drone, perawatan medis, pangisi daya mobil , pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen.

nomer materi sing cocog

AOS

Paramèter penting

Simbol	Parameter	Rating		Unit
		10s	Steady State
VDS	Drain-Sumber Tegangan	-20		V
VGS	Tegangan Gate-Sumber	± 12		V
ID@TC=25 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Pulsed Drain Current2	-200		A
EAS	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	360		mJ
IAS	Arus longsor	-55.4		A
PD@TC=25 ℃	Total Dissipasi Daya4	80		W
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan	-55 kanggo 150		℃
TJ	Operating Junction Range Suhu	-55 kanggo 150		℃

Simbol	Parameter	kahanan	Min.	Tipe.	Maks.	Unit
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi kanggo 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2					mΩ
		VGS=-2.5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS , ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) Koefisien Suhu		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55 ℃	---	---	5
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transkonduktansi Maju	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Total Gate Charge (-4.5V)	VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Gate-Sumber Daya		---	9.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	13	---
Td (ing)	Wektu Tundha Aktifake	VDD=-10V, VGS=-4.5V, RG=3.3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Wektu Rise		---	77	---
Td (mati)	Wektu Tundha Pateni		---	195	---
Tf	Tiba Wektu		---	186	---
Ciss	Kapasitansi Input	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Kapasitansi Output		---	520	---
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik		---	445	---