WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Model:WSP4088

BVDSS:40V

RDSON:13mΩ

ID:11A

Saluran:N-saluran

Paket:SOP-8

Produk Summery:Tegangan WSP4088 MOSFET yaiku 40V, saiki yaiku 11A, resistensi yaiku 13mΩ, saluran kasebut saluran N, lan paket kasebut SOP-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, drone, medis, pangisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

WSP4088 minangka MOSFET saluran N-kanal kinerja paling dhuwur kanthi kapadhetan sel sing dhuwur banget nyedhiyakake RDSON lan biaya gerbang sing apik kanggo aplikasi konverter buck sinkron. WSP4088 tundhuk karo RoHS lan syarat produk ijo, 100% EAS njamin, linuwih fungsi lengkap disetujoni.

Fitur

Piranti sing Bisa Dipercaya lan Rugged, Gratis Timbal lan Ijo

Aplikasi

Manajemen Daya ing Komputer Desktop utawa Konverter DC / DC, Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, drone, medis, pangisi daya mobil, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp

nomer materi sing cocog

AO AO4884 AO4882,ON FDS4672A,PANJIT PJL9424,DINTEK DTM4916 etc.

Paramèter penting

Rating Maksimum Absolute (TA = 25 C Kajaba Dicathet)

Simbol	Paramèter		Rating	Unit
Rating umum
VDSS	Drain-Sumber Tegangan		40	V
VGSS	Tegangan Gate-Sumber		±20	V
TJ	Suhu Junction maksimum		150	°C
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan		-55 kanggo 150	°C
IS	Arus Maju Terus Dioda	TA=25°C	2	A
ID	Arus Saluran Terus	TA=25°C	11	A
ID	Arus Saluran Terus	TA=70°C	8.4
IDM a	Pulsed Drain Current	TA=25°C	30
PD	Boros Daya Maksimum	TA=25°C	2.08	W
PD	Boros Daya Maksimum	TA=70°C	1.3	W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	t £10s	30	°C/W
RqJA	Thermal Resistance-Junction to Ambient	Steady State	60
RqJL	Thermal Resistance-Junction kanggo Lead	Steady State	20
IAS b	Arus Longsor, Pulsa tunggal	L=0.1mH	23	A
EAS b	Energi Longsor, Pulsa tunggal	L=0.1mH	26	mJ

Cathetan a:Maks. saiki diwatesi dening kabel ikatan.
Cathetan b:UIS diuji lan jembaré pulsa diwatesi dening suhu persimpangan maksimum 150oC (suhu wiwitan Tj = 25oC).

Karakteristik Kelistrikan (TA = 25 C Kecuali Dicathet)

Simbol	Paramèter	Syarat Test		Min.	Tipe.	Maks.	Unit
Karakteristik statis
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current		TJ=85°C	-	-	30	mA
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VDS=VGS, IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	Arus Kebocoran Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
RDS(ON) c	Drain-Sumber On-Negara Resistance	VGS=10V, IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ=125°C	-	15.75	-
		VGS=4.5V, IDS=5A		-	12	16
Gfs	Transkonduktansi Maju	VDS=5V, IDS=15A		-	31	-	S
Karakteristik Dioda
VSD c	Tegangan Maju Dioda	ISD=10A, VGS=0V		-	0.9	1.1	V
trr	Wektu Recovery mbalikke	VDD=20V,ISD=10A, dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	Wektu Ngisi daya			-	9.4	-
tb	Wektu Discharge			-	5.8	-
Qrr	Reverse Recovery daya			-	9.5	-	nC
Karakteristik Dinamis d
RG	Resistance Gate	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0.7	1.1	1.8	W
Ciss	Kapasitansi Input	VGS=0V,VDS=20V,Frekuensi=1.0MHz		-	1125	-	pF
Coss	Kapasitansi Output			-	132	-
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik			-	70	-
td (ON)	Aktifake Wektu Tundha	VDD=20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	Nguripake Wektu Rise			-	10	-
td (OFF)	Pateni Wektu Tundha			-	23.6	-
tf	Pateni Wektu Tiba			-	6	-
Karakteristik Gate Charge d
Qg	Total Biaya Gate	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	Total Biaya Gate	VDS=20V, VGS=10V, IDS=7A		-	20	28
Qgth	Pengisian Gate Threshold			-	2	-
Qgs	Gate-Sumber Daya			-	3.9	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-