WSP6067A N&P-Channel 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Model:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

ID:7A/-5A

Saluran:N&P-Saluran

Paket:SOP-8

Produk Summery:WSP6067A MOSFET duweni sawetara voltase 60 volt positif lan negatif, sawetara saiki 7 amps positif lan 5 amps negatif, sawetara resistance 38 milliohm lan 80 milliohms, N&P-Channel, lan dikemas ing SOP-8.

Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, mesin, drone, perawatan kesehatan, pangisi daya mobil, kontrol, piranti digital, piranti cilik, lan elektronik kanggo konsumen.

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

MOSFET WSP6067A minangka teknologi paling canggih kanggo trench P-ch, kanthi kapadhetan sel sing dhuwur banget.Dheweke menehi kinerja sing apik banget babagan biaya RDSON lan gapura, cocog kanggo konverter sing paling sinkron.MOSFET iki cocog karo kritéria RoHS lan Produk Ijo, kanthi 100% EAS njamin linuwih fungsional.

Fitur

Teknologi canggih mbisakake pembentukan trench sel kanthi kapadhetan dhuwur, nyebabake pangisi daya gerbang super rendah lan pembusukan efek CdV / dt sing unggul.Piranti kita dilengkapi garansi 100% EAS lan ramah lingkungan.

Aplikasi

Konverter Buck Synchronous Point-of-Load Frekuensi Dhuwur, Sistem Daya DC-DC Jaringan, Saklar Muatan, Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, drone, peralatan medis, pangisi daya mobil, pengontrol, piranti elektronik, piranti omah cilik, lan elektronik konsumen .

nomer materi sing cocog

AOS

Paramèter penting

Simbol	Parameter	Rating		Unit
Simbol	Parameter	N-Saluran	Saluran P	Unit
VDS	Drain-Sumber Tegangan	60	-60	V
VGS	Tegangan Gate-Sumber	±20	±20	V
ID@TC=25 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1	7.0	-5.0	A
ID@TC=100 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1	4.0	-2.5	A
IDM	Pulsed Drain Current2	28	-20	A
EAS	Energi Longsor Pulsa Tunggal3	22	28	mJ
IAS	Arus longsor	21	-24	A
PD@TC=25 ℃	Total Dissipasi Daya4	2.0	2.0	W
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan	-55 kanggo 150	-55 kanggo 150	℃
TJ	Operating Junction Range Suhu	-55 kanggo 150	-55 kanggo 150	℃

Simbol	Parameter	kahanan	Min.	Tipe.	Maks.	Unit
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi kanggo 25 ℃, ID = 1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS = VDS , ID = 250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) Koefisien Suhu	VGS = VDS , ID = 250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transkonduktansi Maju	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Resistance Gate	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Total Gate Charge (4.5V)	VDS=48V, VGS=4.5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-Sumber Daya		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.1	---
Td (ing)	Wektu Tundha Aktifake	VDD=30V, VGS=10V, RG=3.3Ω, ID=1A	---	3	---	ns
Tr	Wektu Rise		---	34	---
Td (mati)	Wektu Tundha Pateni		---	23	---
Tf	Tiba Wektu		---	6	---
Ciss	Kapasitansi Input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Kapasitansi Output		---	65	---
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik		---	45	---