WSR200N08 N-saluran 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

produk

WSR200N08 N-saluran 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

katrangan singkat:


  • Nomer Model:WSR200N08
  • BVDSS:80V
  • RDSON:2,9mΩ
  • ID:200A
  • Saluran:N-saluran
  • Paket:TO-220-3L
  • Produk Summery:MOSFET WSR200N08 bisa nangani nganti 80 volt lan 200 amps kanthi resistensi 2,9 miliohm. Iki minangka piranti saluran N lan kasedhiya ing paket TO-220-3L.
  • Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, sistem manajemen baterei, sumber daya serep, kendaraan udara tanpa awak, piranti kesehatan, peralatan pangisi daya kendaraan listrik, unit kontrol, mesin cetak 3D, piranti elektronik, piranti omah cilik, lan elektronik konsumen.
  • Detail Produk

    Aplikasi

    Tag produk

    Katrangan Umum

    WSR200N08 minangka trench N-Ch MOSFET kinerja paling dhuwur kanthi kapadhetan sel sing dhuwur banget, sing nyedhiyakake RDSON lan biaya gerbang sing apik kanggo umume aplikasi konverter buck sinkron. WSR200N08 nyukupi syarat RoHS lan Produk Ijo, 100% EAS dijamin kanthi linuwih fungsi sing disetujoni.

    Fitur

    Teknologi Trench kapadhetan sel dhuwur sing dhuwur, Ngisi Gate Super Low, Efek CdV / dt sing apik banget, Dijamin EAS 100%, Piranti Ijo kasedhiya.

    Aplikasi

    Aplikasi switching, Manajemen Daya kanggo Sistem Inverter, Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, BMS, pasokan listrik darurat, drone, medis, pangisi daya mobil, pengontrol, printer 3D, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp.

    nomer materi sing cocog

    AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, lsp.

    Paramèter penting

    Karakteristik Listrik (TJ=25 ℃, kajaba kacathet liyane)

    Simbol Paramèter Rating Unit
    VDS Drain-Sumber Tegangan 80 V
    VGS Tegangan Gate-Sumber ±25 V
    ID@TC=25 ℃ Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1 200 A
    ID@TC=100 ℃ Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1 144 A
    IDM Pulsed Drain Current2,TC=25°C 790 A
    EAS Energi Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH 1496 mJ
    IAS Arus Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH 200 A
    PD@TC=25 ℃ Total Dissipasi Daya4 345 W
    PD@TC=100 ℃ Total Dissipasi Daya4 173 W
    TSTG Kisaran Suhu Panyimpenan -55 kanggo 175
    TJ Kisaran Suhu Operating Junction 175
    Simbol Paramèter kahanan Min. Tipe. Maks. Unit
    BVDSS Tegangan Pecah Sumber Saluran VGS=0V, ID=250uA 80 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Koefisien Suhu BVDSS Referensi kanggo 25 ℃, ID = 1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS (ON) Statis Drain-Sumber On-Resistance2 VGS=10V,ID=100A --- 2.9 3.5
    VGS(th) Tegangan Ambang Gerbang VGS = VDS , ID = 250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) Koefisien Suhu --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS Arus Kebocoran Sumber Saluran VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS Arus Kebocoran Sumber Gerbang VGS=±25V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    Rg Resistance Gate VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 3.2 --- Ω
    Qg Total Gate Charge (10V) VDS=80V, VGS=10V, ID=30A --- 197 --- nC
    Qgs Gate-Sumber Daya --- 31 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 75 ---
    Td (ing) Wektu Tundha Aktifake VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A --- 28 --- ns
    Tr Wektu Rise --- 18 ---
    Td (mati) Wektu Tundha Pateni --- 42 ---
    Tf Tiba Wektu --- 54 ---
    Ciss Kapasitansi Input VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 8154 --- pF
    Coss Kapasitansi Output --- 1029 ---
    Crss Kapasitansi Transfer Mbalik --- 650 ---

  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

  • Tulis pesen ing kene lan kirim menyang kita