WSR200N08 N-saluran 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

katrangan singkat:

Nomer Model:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9mΩ

ID:200A

Saluran:N-saluran

Paket:TO-220-3L

Produk Summery:WSR200N08 MOSFET bisa nangani nganti 80 volt lan 200 amps kanthi resistance 2,9 milliohms.Iki minangka piranti saluran N lan kasedhiya ing paket TO-220-3L.

Aplikasi:Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, sistem manajemen baterei, sumber daya serep, kendaraan udara tanpa awak, piranti kesehatan, peralatan pangisi daya kendaraan listrik, unit kontrol, mesin cetak 3D, piranti elektronik, piranti omah cilik, lan elektronik konsumen.

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

WSR200N08 minangka trench N-Ch MOSFET kinerja paling dhuwur kanthi kapadhetan sel sing dhuwur banget, sing nyedhiyakake RDSON lan biaya gerbang sing apik kanggo umume aplikasi konverter buck sinkron.WSR200N08 nyukupi syarat RoHS lan Produk Ijo, 100% EAS dijamin kanthi linuwih fungsi sing disetujoni.

Fitur

Teknologi Trench kapadhetan sel dhuwur sing canggih, Ngisi Gate Super Low, Efek CdV / dt sing apik banget, Dijamin EAS 100%, Piranti Ijo kasedhiya.

Aplikasi

Aplikasi switching, Manajemen Daya kanggo Sistem Inverter, Rokok elektronik, pangisi daya nirkabel, motor, BMS, pasokan listrik darurat, drone, medis, pangisi daya mobil, pengontrol, printer 3D, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp.

nomer materi sing cocog

AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, lsp.

Paramèter penting

Karakteristik Listrik (TJ=25 ℃, kajaba kacathet liyane)

Simbol	Parameter	Rating	Unit
VDS	Drain-Sumber Tegangan	80	V
VGS	Tegangan Gate-Sumber	±25	V
ID@TC=25 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulsed Drain Current2,TC=25°C	790	A
EAS	Energi Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH	1496	mJ
IAS	Arus Longsor, Pulsa Tunggal, L=0.5mH	200	A
PD@TC=25 ℃	Total Dissipasi Daya4	345	W
PD@TC=100 ℃	Total Dissipasi Daya4	173	W
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan	-55 kanggo 175	℃
TJ	Operating Junction Range Suhu	175	℃

Simbol	Parameter	kahanan	Min.	Tipe.	Maks.	Unit
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi kanggo 25 ℃, ID = 1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS = VDS , ID = 250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) Koefisien Suhu	VGS = VDS , ID = 250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Resistance Gate	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Total Gate Charge (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Sumber Daya		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td (ing)	Wektu Tundha Aktifake	VDD=50V, VGS=10V, RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Wektu Rise		---	18	---
Td (mati)	Wektu Tundha Pateni		---	42	---
Tf	Tiba Wektu		---	54	---
Ciss	Kapasitansi Input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Kapasitansi Output		---	1029	---
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik		---	650	---