WST2088A N-saluran 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET Gambar Unggulan

katrangan singkat:

Nomer Model:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10.7mΩ

ID:7.5A

Saluran:N-saluran

Paket:SOT-23-3L

Produk Summery:Tegangan WST2088A MOSFET yaiku 20V, saiki yaiku 7.5A, resistensi yaiku 10.7mΩ, saluran kasebut saluran N, lan paket kasebut yaiku SOT-23-3L.

Aplikasi:Rokok elektronik, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp.

Kirimi email kanggo kita PDF

Detail Produk

Aplikasi

Tag produk

Katrangan Umum

WST2088A minangka MOSFET N-ch trench kinerja paling dhuwur kanthi kapadhetan sel dhuwur banget, sing nyedhiyakake RDSON lan pangisian daya gerbang sing apik kanggo sebagian besar aplikasi ngalih daya lan ngalih beban cilik. WST2088A nyukupi syarat RoHS lan Produk Ijo kanthi linuwih fungsi sing disetujoni.

Fitur

Teknologi Trench kapadhetan sel dhuwur sing canggih, Ngisi Gate Super Low, Efek Cdv/dt sing Apik banget, Piranti Ijo Kasedhiya

Aplikasi

Aplikasi ngoper daya, Sirkuit Hard Switch lan Frekuensi Dhuwur, Pasokan Daya sing ora bisa diganggu, Rokok elektronik, pengontrol, produk digital, peralatan rumah tangga cilik, elektronik konsumen, lsp.

nomer materi sing cocog

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, lsp.

Paramèter penting

Karakteristik Listrik (TJ=25 ℃, kajaba kacathet)

Simbol	Paramèter	Rating	Unit
VDS	Drain-Sumber Tegangan	20	V
VGS	Tegangan Gate-Sumber	± 12	V
ID@Tc=25 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70 ℃	Arus Saluran Terus, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Pulsed Drain Current	24	A
PD@TA=25 ℃	Total Power Dissipation	1.25	W
TSTG	Kisaran Suhu Panyimpenan	-55 kanggo 150	℃
TJ	Kisaran Suhu Operating Junction	-55 kanggo 150	℃

Simbol	Paramèter	kahanan	Min.	Tipe.	Maks.	Unit
BVDSS	Tegangan Pecah Sumber Saluran	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Koefisien Suhu BVDSS	Referensi kanggo 25 ℃, ID = 1mA	---	0.018	---	V/℃
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS (ON)	Statis Drain-Sumber On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V, ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	Tegangan Ambang Gerbang	VGS = VDS , ID = 250uA	0.4	0.63	1.2	V
IDSS	Arus Kebocoran Sumber Saluran	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Arus Kebocoran Sumber Gerbang	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Qg	Total Biaya Gate	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Gate-Sumber Daya		---	1.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.4	---
Td (ing)	Wektu Tundha Aktifake	VDS=10V, VGS=4.5V, RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Wektu Rise		---	15	---
Td (mati)	Wektu Tundha Pateni		---	33	---
Tf	Tiba Wektu		---	13	---
Ciss	Kapasitansi Input	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Kapasitansi Output		---	125	---
Crss	Kapasitansi Transfer Mbalik		---	90	---