Nganalisa MOSFET Enhancement lan Depletion

D-FET ing 0 gapura Bias nalika orane saluran, bisa nindakake FET; E-FET ana ing bias gerbang 0 nalika ora ana saluran, ora bisa nindakake FET. rong jinis FET iki nduweni ciri lan kegunaan dhewe-dhewe. Umumé, FET sing ditingkatake ing sirkuit-kacepetan dhuwur, sirkuit-daya kurang banget terkenal; lan piranti iki digunakake, iku polaritas saka gerbang bias voltage lan saluran voltase saka padha, iku luwih trep ing desain sirkuit.

Sing diarani tegese ditingkatake: nalika VGS = 0 tabung minangka negara sing dipotong, ditambah karo VGS sing bener, mayoritas operator ditarik menyang gerbang, saéngga "nambahi" operator ing wilayah kasebut, mbentuk saluran konduktif. MOSFET sing ditingkatake saluran n yaiku topologi simetris kiwa-tengen, yaiku semikonduktor P-jinis ing generasi lapisan insulasi film SiO2. Iki ngasilake lapisan insulasi film SiO2 ing semikonduktor tipe-P, lan banjur nyebarake rong wilayah tipe-N sing doped banget.fotolitografi, lan ndadékaké elektroda saka wilayah N-jinis, siji kanggo saluran D lan siji kanggo sumber S. A lapisan saka logam aluminium dilapisi ing lapisan insulating antarane sumber lan saluran minangka gapura G. Nalika VGS = 0 V , ana cukup sawetara dioda karo back-to-back diodes antarane saluran lan sumber lan voltase antarane D lan S ora mbentuk saiki antarane D lan S. Arus antarane D lan S ora kawangun dening voltase Applied. .

Nalika voltase gerbang ditambahake, yen 0 < VGS < VGS (th), liwat medan listrik kapasitif sing dibentuk ing antarane gapura lan landasan, bolongan polion ing semikonduktor P-jinis cedhak ngisor gerbang ditolak mudhun, lan lapisan tipis ion negatif katon; ing wektu sing padha, iku bakal narik kawigaten oligons ing kanggo pindhah menyang lapisan lumahing, nanging nomer winates lan ora cukup kanggo mbentuk saluran konduktif sing komunikasi saluran lan sumber, supaya isih ora cukup kanggo Tatanan ID saiki saluran. mundhak luwih VGS, nalika VGS > VGS (th) (VGS (th) diarani voltase nguripake-on), amarga ing wektu iki voltase gerbang wis relatif kuwat, ing lapisan lumahing semikonduktor P-jinis cedhak ngisor gapura ngisor kumpul luwih elektron, sampeyan bisa mbentuk trench, saluran lan sumber komunikasi. Yen voltase sumber saluran ditambahake ing wektu iki, saiki saluran bisa kawangun ID. elektron ing saluran konduktif kawangun ngisor gapura, amarga saka bolongan operator karo kutub semikonduktor P-jinis ngelawan, supaya disebut lapisan anti-jinis. Nalika VGS terus nambah, ID bakal terus nambah. ID = 0 ing VGS = 0V, lan saiki saluran mung sawise VGS> VGS (th), dadi, jinis MOSFET iki diarani MOSFET penambahan.

Hubungan kontrol VGS ing arus saluran bisa diterangake kanthi kurva iD = f(VGS(th))|VDS=const, sing diarani kurva karakteristik transfer, lan gedhene kemiringan kurva karakteristik transfer, gm, nggambarake kontrol arus saluran dening voltase sumber gapura. gedhene gm yaiku mA/V, mula gm uga diarani transkonduktansi.