Bedane Antarane IGBT lan MOSFET

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) lan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconduktor Field-Effect Transistor) minangka rong piranti semikonduktor daya sing umum digunakake ing elektronika daya. Nalika loro-lorone minangka komponen penting ing macem-macem aplikasi, beda-beda sacara signifikan ing sawetara aspek. Ing ngisor iki ana prabédan utama antarane IGBT lan MOSFET:

1. Prinsip Kerja

- IGBT: IGBT nggabungake karakteristik BJT (Bipolar Junction Transistor) lan MOSFET, dadi piranti hibrida. Iki ngontrol basis BJT liwat voltase gerbang MOSFET, sing uga ngontrol konduksi lan cutoff BJT. Sanajan proses konduksi lan cutoff saka IGBT relatif rumit, nanging nduweni kerugian voltase konduksi sing sithik lan toleransi voltase dhuwur.

- MOSFET: MOSFET minangka transistor efek lapangan sing ngontrol arus ing semikonduktor liwat voltase gerbang. Nalika voltase gerbang ngluwihi voltase sumber, lapisan konduktif mbentuk, saéngga arus bisa mili. Kosok baline, nalika voltase gapura ing ngisor ambang, lapisan konduktif ilang, lan saiki ora bisa mili. Operasi MOSFET relatif prasaja, kanthi kecepatan ngoper cepet.

2. Area Aplikasi

- IGBT: Amarga toleransi voltase dhuwur, mundhut voltase konduksi kurang, lan kinerja ngoper cepet, IGBT utamané cocog kanggo daya dhuwur, aplikasi kurang mundhut kayata inverter, driver motor, mesin welding, lan uninterruptible power supply (UPS) . Ing aplikasi kasebut, IGBT kanthi efisien ngatur operasi switching voltase dhuwur lan arus dhuwur.

- MOSFET: MOSFET, kanthi respon cepet, resistansi input dhuwur, kinerja switching stabil, lan biaya murah, digunakake kanthi akeh ing aplikasi sing kurang daya, ngalih cepet kayata pasokan daya mode switch, lampu, amplifier audio, lan sirkuit logika. . MOSFET performs apik banget ing aplikasi kurang daya lan kurang voltase.