Pedoman kanggo Pilihan Paket MOSFET

Kapindho, ukuran watesan sistem

Sawetara sistem elektronik diwatesi kanthi ukuran PCB lan internal dhuwur, such minangka sistem komunikasi, sumber daya modular amarga watesan dhuwur biasane nggunakake DFN5 * 6, DFN3 * 3 paket; ing sawetara sumber daya ACDC, nggunakake desain Ultra-tipis utawa amarga watesan saka Nihan, Déwan paket TO220 saka kaki MOSFET daya langsung dipasang menyang ROOT watesan dhuwur ora bisa nggunakake paket TO247. Sawetara desain ultra-tipis langsung mlengkung pin piranti warata, proses produksi desain iki bakal dadi Komplek.

Katelu, proses produksi perusahaan

TO220 wis rong jinis paket: paket logam gundhul lan paket plastik lengkap, paket logam gundhul resistance termal cilik, kemampuan boros panas kuwat, nanging ing proses produksi, sampeyan kudu nambah gulung jampel, proses produksi Komplek lan larang regane, nalika paket plastik lengkap resistance termal gedhe, kemampuan boros panas banget, nanging proses produksi prasaja.

Kanggo ngurangi proses gawean ngunci ngawut-awut, ing taun anyar, sawetara sistem elektronik nggunakake klip kanggo dayaMOSFET clamped ing sink panas, supaya emergence saka bagean TO220 tradisional saka sisih ndhuwur aman saka bolongan ing wangun anyar encapsulation, nanging uga kanggo ngurangi dhuwur saka piranti.

Kaping papat, kontrol biaya

Ing sawetara aplikasi sing sensitif banget kayata motherboard lan papan desktop, MOSFET daya ing paket DPAK biasane digunakake amarga biaya paket kasebut murah. Mulane, nalika milih paket MOSFET daya, digabungake karo gaya perusahaan lan fitur produk, lan nimbang faktor ing ndhuwur.

Kalima, pilih BVDSS voltase tahan ing paling kasus, amarga desain vo inputkaluwihan saka elektronik sistem relatif tetep, perusahaan milih supplier tartamtu saka sawetara nomer materi, voltase dirating produk uga tetep.

Tegangan breakdown BVDSS saka MOSFET daya ing lembar data wis nemtokake kahanan tes, kanthi nilai sing beda-beda ing kahanan sing beda-beda, lan BVDSS nduweni koefisien suhu positif, ing aplikasi nyata kombinasi faktor kasebut kudu dianggep kanthi lengkap.

Akeh informasi lan literatur asring kasebut: yen sistem daya MOSFET VDS saka voltase spike paling dhuwur yen luwih saka BVDSS, sanajan spike pulsa durasi voltase mung sawetara utawa puluhan ns, MOSFET daya bakal mlebu longsoran. lan kanthi mangkono karusakan dumadi.

Ora kaya transistor lan IGBT, MOSFET daya nduweni kemampuan kanggo nolak longsor, lan akeh perusahaan semikonduktor gedhe sing nguwasani energi longsor MOSFET ing baris produksi yaiku inspeksi lengkap, deteksi 100%, yaiku, ing data iki minangka pangukuran sing dijamin, voltase longsoran. biasane ana ing 1.2 ~ 1.3 kaping BVDSS, lan durasi wektu biasane μs, malah tingkat ms, banjur durasi mung sawetara utawa puluhan ns, luwih murah tinimbang voltase longsor spike pulsa voltase ora ngrusak MOSFET daya.

Enem, dening drive voltase pilihan VTH

Sistem elektronik sing beda-beda MOSFET daya voltase drive sing dipilih ora padha, sumber daya AC / DC biasane nggunakake voltase drive 12V, konverter DC / DC motherboard notebook nggunakake voltase drive 5V, dadi miturut voltase drive sistem kanggo milih voltase ambang sing beda. MOSFET daya VTH.

Voltase ambang VTH saka MOSFET daya ing lembar data uga wis nemtokake kahanan tes lan nduweni nilai sing beda ing kahanan sing beda, lan VTH nduweni koefisien suhu negatif. Tegangan drive sing beda-beda VGS cocog karo resistensi sing beda-beda, lan ing aplikasi praktis, penting kanggo njupuk suhu.

Ing aplikasi praktis, variasi suhu kudu digatekake kanggo mesthekake yen MOSFET daya wis diuripake kanthi lengkap, lan ing wektu sing padha mesthekake yen pulsa spike sing digandhengake karo kutub G sajrone proses mati ora bakal dipicu dening pemicu palsu. ngasilake sirkuit lurus utawa short-circuit.