Pinten sampeyan ngerti babagan paramèter MOSFET? OLUKEY nganalisa kanggo sampeyan

"MOSFET" iku singkatan saka Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Iki minangka piranti sing digawe saka telung bahan: logam, oksida (SiO2 utawa SiN) lan semikonduktor. MOSFET minangka salah sawijining piranti paling dhasar ing lapangan semikonduktor. Apa ing desain IC utawa aplikasi sirkuit papan-tingkat, iku banget ekstensif. Parameter utama MOSFET kalebu ID, IDM, VGSS, V (BR) DSS, RDS (ing), VGS (th), etc. Apa sampeyan ngerti iki? OLUKEY Company, minangka winsok Taiwanese agêng-kanggo-dhuwur-mburi medium lan kurang voltaseMOSFETpanyedhiya layanan agen, duwe tim inti kanthi pengalaman meh 20 taun kanggo nerangake kanthi rinci babagan macem-macem parameter MOSFET!

Gambar: lembar spesifikasi WINSOK MOSFETWSG03N10

Katrangan makna paramèter MOSFET

1. Parameter ekstrim:

ID: Arus sumber saluran maksimum. Iki nuduhake arus maksimum sing diidini ngliwati saluran lan sumber nalika transistor efek lapangan mlaku kanthi normal. Saiki operasi transistor efek lapangan ngirim ora ngluwihi ID. Parameter iki mudhun nalika suhu persimpangan mundhak.

IDM: Arus sumber saluran pulsa maksimum. Parameter iki bakal mudhun nalika suhu persimpangan mundhak, nggambarake resistensi impact lan uga ana hubungane karo wektu pulsa. Yen parameter iki cilik banget, sistem bisa beresiko rusak dening saiki sak testing OCP.

PD: daya maksimum buyar. Iku nuduhake boros daya saluran-sumber maksimum diijini tanpa deteriorating kinerja transistor efek lapangan. Nalika digunakake, konsumsi daya nyata FET kudu kurang saka PDSM lan ninggalake wates tartamtu. Parameter iki umume mudhun nalika suhu persimpangan mundhak

VDSS: Tegangan tahan sumber saluran maksimum. Tegangan saluran-sumber nalika arus saluran sing mili tekan nilai tartamtu (surges banget) ing suhu tartamtu lan sirkuit cendhak gerbang-sumber. Tegangan sumber saluran ing kasus iki uga disebut voltase rusak longsor. VDSS nduweni koefisien suhu positif. Ing -50 ° C, VDSS kira-kira 90% saka 25 ° C. Amarga sangu biasane kiwa ing produksi normal, voltase risak longsor MOSFET tansah luwih saka voltase dirating nominal.

OLUKEYTip Anget: Kanggo mesthekake linuwih produk, ing kahanan kerja sing paling awon, disaranake voltase kerja ora ngluwihi 80 ~ 90% saka nilai sing dirating.

VGSS: Tegangan tahan sumber gerbang maksimum. Iku nuduhake Nilai VGS nalika saiki mbalikke antarane gapura lan sumber wiwit nambah banget. Ngluwihi nilai voltase iki bakal nimbulaké risak dielektrik saka lapisan oksida gerbang, kang risak ngrusak lan ora bisa dibalèkaké.

TJ: Temperatur persimpangan operasi maksimum. Biasane 150 ℃ utawa 175 ℃. Ing kahanan kerja desain piranti, perlu supaya ora ngluwihi suhu kasebut lan ninggalake wates tartamtu.

TSTG: sawetara suhu panyimpenan

Iki loro paramèter, TJ lan TSTG, calibrate sawetara suhu prapatan diijini dening lingkungan digunakake lan panyimpenan piranti. Kisaran suhu iki disetel kanggo nyukupi syarat umur operasi minimal piranti. Yen piranti kasebut bisa digunakake sajrone kisaran suhu kasebut, umur kerjane bakal saya tambah akeh.

2. Paramèter statis

Kondisi tes MOSFET umume 2.5V, 4.5V, lan 10V.

V(BR)DSS: Tegangan rusak sumber saluran. Iku nuduhake voltase saluran-sumber maksimum sing transistor efek lapangan bisa tahan nalika voltase gerbang-sumber VGS 0. Iki parameter matesi, lan voltase operasi Applied kanggo transistor efek lapangan kudu kurang saka V (BR) DSS. Wis ciri suhu positif. Mulane, nilai parameter iki ing kondisi suhu sing kurang kudu dianggep minangka pertimbangan safety.

△V(BR)DSS/△Tj: Koefisien suhu voltase rusak sumber saluran, umume 0,1V/℃

RDS (ing): Ing kahanan tartamtu saka VGS (biasane 10V), suhu prapatan lan saluran saiki, resistance maksimum antarane saluran lan sumber nalika MOSFET diuripake. Iku parameter penting banget sing nemtokake daya migunakaken nalika MOSFET diuripake. Parameter iki umume mundhak nalika suhu persimpangan mundhak. Mulane, nilai parameter iki ing suhu persimpangan operasi paling dhuwur kudu digunakake kanggo pitungan mundhut lan voltase drop.

VGS(th): voltase nguripake (tegangan ambang). Nalika voltase kontrol gerbang external VGS ngluwihi VGS (th), lapisan kuwalikan lumahing saluran lan wilayah sumber mbentuk saluran disambungake. Ing aplikasi, voltase gapura nalika ID padha karo 1 mA ing kahanan short-circuit saluran asring disebut voltase nguripake. Parameter iki umume mudhun nalika suhu sambungan mundhak

IDSS: kebak saluran-sumber saiki, saluran-sumber saiki nalika voltase gerbang VGS = 0 lan VDS punika Nilai tartamtu. Umume ing tingkat microamp

IGSS: gerbang-sumber drive saiki utawa mbalikke saiki. Wiwit impedansi input MOSFET gedhe banget, IGSS umume ing tingkat nanoamp.

3. Parameter dinamis

gfs: transkonduktansi. Iku nuduhake rasio saka owah-owahan ing saluran output saiki kanggo owah-owahan ing voltase gerbang-sumber. Iki minangka ukuran kemampuan voltase sumber gerbang kanggo ngontrol arus saluran. Mangga deleng grafik kanggo hubungan transfer antarane gfs lan VGS.

Qg: Total kapasitas pengisian gerbang. MOSFET minangka piranti nyopir jinis voltase. Proses nyopir yaiku proses panyiapan voltase gerbang. Iki digayuh kanthi ngisi kapasitansi antarane sumber gapura lan saluran gapura. Aspek iki bakal dibahas kanthi rinci ing ngisor iki.

Qgs: Kapasitas pengisian sumber gerbang

Qgd: biaya gate-to-drain (gatosaken efek Miller). MOSFET minangka piranti nyopir jinis voltase. Proses nyopir yaiku proses panyiapan voltase gerbang. Iki digayuh kanthi ngisi kapasitansi antarane sumber gapura lan saluran gapura.

Td(on): wektu tundha konduksi. Wektu nalika voltase input mundhak dadi 10% nganti VDS mudhun dadi 90% saka amplitudo

Tr: wektu munggah, wektu kanggo voltase output VDS mudhun saka 90% kanggo 10% saka amplitudo sawijining

Td (mati): Wektu tundha mateni, wektu nalika voltase input mudhun dadi 90% nganti VDS mundhak dadi 10% saka voltase mateni.

Tf: Wektu tiba, wektu kanggo voltase output VDS mundhak saka 10% nganti 90% saka amplitudo

Ciss: Input kapasitansi, short-circuit saluran lan sumber, lan ngukur kapasitansi antarane gapura lan sumber karo sinyal AC. Ciss = CGD + CGS (CDS short circuit). Nduwe pengaruh langsung ing wektu tundha nguripake lan mateni piranti.

Coss: Output kapasitansi, short-circuit gapura lan sumber, lan ngukur kapasitansi antarane saluran lan sumber karo sinyal AC. Coss = CDS + CGD

Crss: Kapasitansi transmisi mundur. Kanthi sumber disambungake menyang lemah, kapasitansi diukur antarane saluran lan gapura Crss = CGD. Salah sawijining parameter penting kanggo ngalih yaiku wektu munggah lan tiba. Crss=CGD

Kapasitas interelectrode lan kapasitansi MOSFET induksi MOSFET dipérang dadi kapasitansi input, kapasitansi output lan kapasitansi umpan balik dening umume manufaktur. Nilai sing dikutip kanggo voltase saluran menyang sumber tetep. Kapasitansi iki ngganti minangka owah-owahan voltase saluran-sumber, lan Nilai saka kapasitansi duwe efek winates. Nilai kapasitansi input mung menehi indikasi kira-kira pangisian daya sing dibutuhake dening sirkuit driver, dene informasi pangisi daya gerbang luwih migunani. Iki nuduhake jumlah energi sing kudu diisi gapura kanggo nggayuh voltase gerbang-kanggo-sumber tartamtu.

4. Paramèter karakteristik longsoran longsor

Parameter karakteristik rusak longsor minangka indikator kemampuan MOSFET kanggo nahan overvoltage ing negara mati. Yen voltase ngluwihi voltase watesan saluran-sumber, piranti bakal ing negara longsor.

EAS: Energi breakdown longsor pulsa tunggal. Iki minangka parameter watesan, nuduhake energi rusak longsor maksimum sing bisa ditahan dening MOSFET.

IAR: arus longsor

EAR: Energi Pecah Avalanche sing diulang

5. Parameter dioda in vivo

IS: Arus freewheeling maksimum terus-terusan (saka sumber)

ISM: arus freewheeling maksimum pulsa (saka sumber)

VSD: mudhun voltase maju

Trr: mbalikke wektu Recovery

Qrr: Ngisi daya mbalikke

Ton: Wektu konduksi maju. (Sejatine ora pati penting)

WINSOK MOSFET longsoran paramèter karakteristik risak

Définisi wektu nguripake lan mateni MOSFET

Sajrone proses aplikasi, karakteristik ing ngisor iki asring kudu dianggep:

1. Karakteristik koefisien suhu positif saka V (BR) DSS. Karakteristik iki, sing beda karo piranti bipolar, ndadekake luwih dipercaya nalika suhu operasi normal mundhak. Nanging sampeyan uga kudu menehi perhatian marang linuwih nalika wiwitan kadhemen suhu rendah.

2. Karakteristik koefisien suhu negatif saka V (GS) th. Potensi ambang gerbang bakal mudhun nganti temperatur persimpangan mundhak. Sawetara radiasi uga bakal nyuda potensial ambang iki, bisa uga ing ngisor 0 potensial. Fitur iki mbutuhake insinyur kanggo menehi perhatian marang gangguan lan pemicu palsu MOSFET ing kahanan kasebut, utamane kanggo aplikasi MOSFET kanthi potensial ambang sing kurang. Amarga karakteristik iki, kadhangkala perlu kanggo desain potensial mati-voltase saka driver gapura menyang Nilai negatif (referring kanggo N-jinis, P-jinis lan ing) supaya gangguan lan pemicu palsu.

3. Karakteristik koefisien suhu positif saka VDSon / RSo. Karakteristik sing VDSon / RDSon mundhak rada nalika suhu prapatan mundhak ndadekake iku bisa kanggo langsung nggunakake MOSFETs ing podo karo. Piranti bipolar mung ngelawan ing babagan iki, mula panggunaane kanthi paralel dadi cukup rumit. RDSon uga bakal nambah rada nalika ID mundhak. Karakteristik iki lan karakteristik suhu positif saka persimpangan lan permukaan RDSon mbisakake MOSFET supaya ora rusak sekunder kaya piranti bipolar. Nanging, kudu dicathet yen efek saka fitur iki cukup winates. Nalika digunakake ing podo karo, push-narik utawa aplikasi liyane, sampeyan ora bisa rampung gumantung ing poto-angger saka fitur iki. Sawetara langkah dhasar isih dibutuhake. Karakteristik iki uga nerangake yen mundhut konduksi dadi luwih gedhe ing suhu dhuwur. Mulane, perhatian khusus kudu dibayar kanggo pilihan paramèter nalika ngitung kerugian.

4. Karakteristik koefisien suhu negatif saka ID, pangerten paramèter MOSFET lan ID karakteristik utama bakal nyuda kanthi signifikan nalika suhu persimpangan mundhak. Karakteristik iki ndadekake asring perlu kanggo nimbang parameter ID ing suhu dhuwur sajrone desain.

5. Karakteristik koefisien suhu negatif saka kemampuan longsor IER / EAS. Sawise suhu prapatan mundhak, sanajan MOSFET bakal luwih gedhe V (BR) DSS, iku kudu nyatet sing EAS bakal suda Ngartekno. Tegese, kemampuane kanggo nahan longsor ing kahanan suhu dhuwur luwih lemah tinimbang ing suhu normal.

6. Kapabilitas konduksi lan kinerja pemulihan bali saka dioda parasit ing MOSFET ora luwih apik tinimbang dioda biasa. Ora samesthine kanggo digunakake minangka operator saiki utama ing daur ulang ing desain. Dioda pamblokiran asring disambungake kanthi seri kanggo mbatalake dioda parasit ing awak, lan dioda paralel tambahan digunakake kanggo mbentuk operator listrik sirkuit. Nanging, bisa dianggep minangka operator ing kasus konduksi jangka pendek utawa sawetara syarat saiki cilik kayata rectification sinkron.

7. Munggah kanthi cepet saka potensial saluran bisa nimbulaké spurious-triggering saka drive gapura, supaya kamungkinan iki kudu dianggep ing dVDS gedhe / aplikasi dt (frekuensi dhuwur sirkuit ngoper cepet).