Titik Pilihan MOSFET

Pilihan sakaMOSFETiku penting banget, pilihan ala bisa mengaruhi panggunaan daya saka kabeh sirkuit, master nuansa komponen MOSFET beda lan paramèter ing sirkuit ngoper beda bisa bantuan engineers supaya akèh masalah, ing ngisor iki sawetara Rekomendasi saka Guanhua Weiye kanggo pilihan MOSFETs.

Kaping pisanan, saluran P lan saluran N

Langkah pisanan yaiku nemtokake panggunaan MOSFET saluran N utawa saluran P. ing aplikasi daya, nalika lemah MOSFET, lan mbukak disambungake menyang voltase gedhe, ingMOSFETngebentuk saklar sisih voltase kurang. Ing ngoper sisih voltase kurang, MOSFET saluran N umume digunakake, sing minangka pertimbangan kanggo voltase sing dibutuhake kanggo mateni utawa nguripake piranti kasebut. Nalika MOSFET disambungake menyang bis lan mbukak lemah, saklar sisih voltase dhuwur digunakake. MOSFET saluran P biasane digunakake, amarga pertimbangan drive voltase. Kanggo milih komponen tengen kanggo aplikasi, iku penting kanggo nemtokake voltase dibutuhake kanggo drive piranti lan carane gampang kanggo ngleksanakake ing desain. Langkah sabanjure yaiku nemtokake rating voltase sing dibutuhake, utawa voltase maksimal sing bisa ditindakake komponen kasebut. Sing luwih dhuwur rating voltase, sing luwih dhuwur biaya piranti. Ing praktik, rating voltase kudu luwih gedhe tinimbang voltase batang utawa bus. Iki bakal nyedhiyakake proteksi sing cukup supaya MOSFET ora bakal gagal. Kanggo pilihan MOSFET, iku penting kanggo nemtokake voltase maksimum sing bisa tahan saka saluran kanggo sumber, IE, VDS maksimum, supaya iku penting kanggo ngerti sing voltase maksimum sing MOSFET bisa tahan beda-beda gumantung karo suhu. Desainer kudu nguji sawetara voltase ing kabeh kisaran suhu operasi. Tegangan sing dirating kudu duwe wates sing cukup kanggo nutupi kisaran iki kanggo mesthekake yen sirkuit ora gagal. Kajaba iku, faktor safety liyane kudu dianggep transien voltase induksi.

Kapindho, nemtokake rating saiki

Rating saiki MOSFET gumantung saka struktur sirkuit. Rating saiki yaiku arus maksimum sing bisa ditahan beban ing kabeh kahanan. Kaya kasus voltase, desainer kudu mesthekake yen MOSFET sing dipilih bisa nggawa arus sing dirating iki, sanajan sistem kasebut ngasilake arus spike. Loro skenario saiki sing kudu ditimbang yaiku mode kontinu lan lonjakan pulsa. MOSFET ing negara anteng ing mode konduksi terus, nalika saiki liwat terus-terusan liwat piranti. Pulse spikes nuduhake nomer akeh lonjakan (utawa spikes arus) mili liwat piranti, ing kasus, yen saiki maksimum wis ditemtokake, iku mung prakara langsung milih piranti sing bisa tahan saiki maksimum iki.

Sawise milih saiki dirating, mundhut konduksi uga diwilang. Ing kasus tartamtu,MOSFETIku ora komponen becik amarga saka losses electrical sing dumadi sak proses konduktif, kang disebut mundhut konduksi. Nalika "on", MOSFET tumindak minangka resistor variabel, kang ditemtokake dening RDS (ON) piranti lan owah-owahan Ngartekno karo suhu. Mundhut daya piranti bisa diwilang saka Iload2 x RDS(ON), lan wiwit resistensi ing beda-beda gumantung karo suhu, mundhut daya beda-beda proporsional. Sing luwih dhuwur voltase VGS ditrapake kanggo MOSFET, ing ngisor RDS (ON); Kosok baline, sing luwih dhuwur RDS (ON). Kanggo desainer sistem, ing kene ana tradeoffs gumantung saka voltase sistem. Kanggo desain portabel, voltase ngisor luwih gampang (lan luwih umum), dene kanggo desain industri, voltase sing luwih dhuwur bisa digunakake. Elinga yen resistance RDS (ON) mundhak rada karo saiki.

Teknologi nduwe pengaruh gedhe ing karakteristik komponen, lan sawetara teknologi cenderung nambah RDS (ON) nalika nambah VDS maksimal. Kanggo teknologi kasebut, perlu nambah ukuran wafer yen VDS lan RDS (ON) kudu diturunake, saéngga nambah ukuran paket sing cocog lan biaya pangembangan sing cocog. Ana sawetara teknologi ing industri sing nyoba ngontrol paningkatan ukuran wafer, sing paling penting yaiku teknologi trench lan imbangan. Ing teknologi trench, trench jero wis ditempelake ing wafer, biasane dilindhungi undhang-undhang kanggo voltase kurang, kanggo nyuda ing-resistance RDS (ON).

III. Nemtokake syarat boros panas

Langkah sabanjure yaiku ngitung syarat termal sistem. Rong skenario sing beda kudu dipikirake, kasus paling awon lan kasus nyata. TPV nyaranake ngitung asil kanggo skenario paling awon, amarga pitungan iki menehi wates safety luwih lan mesthekake yen sistem ora bakal gagal.

IV. Ngalih Kinerja

Akhire, kinerja ngoper saka MOSFET. Ana akeh paramèter sing mengaruhi kinerja ngoper, sing penting gapura / saluran, gapura / sumber lan saluran / sumber kapasitansi. Kapasitansi iki mbentuk ganti rugi ing komponen amarga kudu ngisi daya saben-saben diuripake. Akibaté, kacepetan ngoper MOSFET suda lan efisiensi piranti suda. Kanggo ngetung total kerugian ing piranti nalika ngoper, desainer kudu ngetung kerugian nalika nguripake (Eon) lan kerugian nalika mateni (Eoff). Iki bisa ditulis dening persamaan ing ngisor iki: Psw = (Eon + Eoff) x frekuensi ngoper. Lan pangisian daya gerbang (Qgd) nduwe pengaruh paling gedhe ing kinerja ngalih.