Évolusi MOSFET (Metal-Oxide-Semiconduktor Field-Effect Transistor) minangka proses sing kebak inovasi lan terobosan, lan pangembangane bisa diringkes ing tahap utama ing ngisor iki:
I. Konsep awal lan eksplorasi
Konsep sing diusulake:Penemuan MOSFET bisa ditelusuri nganti taun 1830-an, nalika konsep transistor efek lapangan dikenalake dening Lilienfeld Jerman. Nanging, upaya sajrone wektu iki ora bisa mujudake MOSFET praktis.
Studi pendahuluan:Sabanjure, Bell Labs saka Shaw Teki (Shockley) lan liya-liyane uga nyoba nyinaoni penemuan tabung efek lapangan, nanging padha gagal. Nanging, riset kasebut nggawe dhasar kanggo pangembangan MOSFET mengko.
II. Lair lan pangembangan awal MOSFET
Terobosan utama:Ing taun 1960, Kahng lan Atalla ora sengaja nemokaké transistor efek medan MOS (transistor MOS cendhak) ing proses ningkatake kinerja transistor bipolar kanthi silikon dioksida (SiO2). Penemuan iki nandhani entri resmi MOSFET menyang industri manufaktur sirkuit terpadu.
Peningkatan Kinerja:Kanthi pangembangan teknologi proses semikonduktor, kinerja MOSFET terus saya apik. Contone, voltase operasi MOS daya voltase dhuwur bisa tekan 1000V, Nilai resistance MOS kurang ing resistance mung 1 ohm, lan frekuensi operasi sawetara saka DC kanggo sawetara megahertz.
III. Aplikasi akeh MOSFET lan inovasi teknologi
Digunakake akeh:MOSFET akeh digunakake ing macem-macem piranti elektronik, kayata mikroprosesor, memori, sirkuit logika, lan sapiturute, amarga kinerja sing apik banget. Ing piranti elektronik modern, MOSFET minangka salah sawijining komponen sing penting.
Inovasi teknologi:Kanggo nyukupi syarat frekuensi operasi sing luwih dhuwur lan tingkat daya sing luwih dhuwur, IR ngembangake MOSFET daya pisanan. salajengipun, akeh jinis anyar saka piranti daya wis ngenalaken, kayata IGBTs, GTOs, IPMs, etc., lan wis liyane lan liyane digunakake digunakake ing lapangan related.
Inovasi materi:Kanthi kemajuan teknologi, bahan anyar ditliti kanggo nggawe MOSFET; contone, bahan silikon karbida (SiC) wiwit nampa manungsa waé lan riset amarga sifat fisik sing unggul.Bahan SiC duwe konduktivitas termal sing luwih dhuwur lan bandwidth sing dilarang dibandhingake karo bahan Si konvensional, sing nemtokake sifat sing apik banget kayata kapadhetan saiki dhuwur, dhuwur. kekuatan lapangan risak, lan suhu operasi dhuwur.
Papat, teknologi MOSFET nglereni-pinggiran lan arah pembangunan
Transistor Gerbang Ganda:Macem-macem teknik dicoba kanggo nggawe transistor gerbang ganda kanggo nambah kinerja MOSFET. Transistor MOS gapura ganda nduweni shrinkability luwih apik tinimbang gapura siji, nanging shrinkability isih winates.
Efek trench cendhak:Arah pangembangan penting kanggo MOSFET yaiku kanggo ngatasi masalah efek saluran cendhak. Efek short-channel bakal matesi asil dandan luwih saka kinerja piranti, supaya iku perlu kanggo ngatasi masalah iki kanthi ngurangi ambane prapatan saka sumber lan wilayah saluran, lan ngganti sumber lan saluran PN junctions karo kontak logam-semikonduktor.
Ringkesan, evolusi MOSFET minangka proses saka konsep nganti aplikasi praktis, saka peningkatan kinerja nganti inovasi teknologi, lan saka eksplorasi materi nganti pangembangan teknologi canggih. Kanthi pangembangan ilmu pengetahuan lan teknologi sing terus-terusan, MOSFET bakal terus dadi peran penting ing industri elektronik ing mangsa ngarep.
Wektu kirim: Sep-28-2024
