Pilihan MOSFET voltase cilik minangka bagéyan penting sakaMOSFETpilihan ora apik bisa mengaruhi efficiency lan biaya kabeh sirkuit, nanging uga bakal nggawa akèh alangan kanggo engineers, sing carane bener milih MOSFET?
Milih saluran-N utawa saluran-P Langkah pisanan kanggo milih piranti sing bener kanggo desain yaiku mutusake nggunakake MOSFET saluran-N utawa saluran-P Ing aplikasi daya khas, MOSFET minangka saklar sisih voltase rendah nalika MOSFET wis grounded lan mbukak disambungake menyang voltase gedhe. Ing saklar sisih voltase kurang, MOSFET saluran N kudu digunakake amarga pertimbangan voltase sing dibutuhake kanggo mateni utawa nguripake piranti kasebut.
Nalika MOSFET disambungake menyang bis lan mbukak lemah, ngalih sisih voltase dhuwur digunakake. MOSFET saluran P biasane digunakake ing topologi iki, maneh kanggo pertimbangan drive voltase. Nemtokake rating saiki. Pilih rating MOSFET saiki. Gumantung ing struktur sirkuit, rating saiki iki kudu saiki maksimum sing mbukak bisa tahan ing kabeh kahanan.
Kaya kasus voltase, desainer kudu mesthekake yen sing dipilihMOSFETbisa nahan rating saiki iki, sanajan sistem ngasilake arus spike. Loro kasus saiki sing kudu ditimbang yaiku mode kontinu lan lonjakan pulsa. Ing mode konduksi terus-terusan, MOSFET ing negara anteng, nalika saiki liwat terus-terusan liwat piranti.
Pulse spike nalika ana lonjakan gedhe (utawa spike arus) sing mili liwat piranti kasebut. Sawise saiki maksimum ing kahanan iki wis ditemtokake, iku mung prakara langsung milih piranti sing bisa tahan saiki maksimum iki. Nemtokake Kebutuhan Termal Milih MOSFET uga mbutuhake ngitung syarat termal sistem kasebut. Desainer kudu nimbang rong skenario sing beda, kasus paling awon lan kasus sing bener. Disaranake yen pitungan paling awon digunakake amarga menehi wates safety sing luwih gedhe lan mesthekake yen sistem ora bakal gagal. Ana uga sawetara pangukuran sing kudu dingerteni ing lembar data MOSFET; kayata resistance termal antarane persimpangan semikonduktor piranti paket lan lingkungan, lan suhu persimpangan maksimum. Nemtokake kinerja switching, langkah pungkasan kanggo milih MOSFET yaiku mutusake kinerja switchingMOSFET.
Ana akeh paramèter sing mengaruhi kinerja ngoper, nanging sing paling penting yaiku gerbang / saluran, gerbang / sumber, lan kapasitansi saluran / sumber. Kapasitansi kasebut nggawe kerugian ganti ing piranti amarga kudu diisi sajrone saben ngalih. kacepetan ngoper saka MOSFET mulane suda lan efficiency piranti sudo. Kanggo ngetung total kerugian piranti sajrone ngoper, desainer kudu ngetung kerugian turn-on (Eon) lan kerugian turn-off.
Nalika Nilai saka vGS cilik, kemampuan kanggo nresep elektron ora kuwat, bocor - sumber antarane isih ora presents saluran konduktif, vGS nambah, digunakke menyang P substrate lapisan lumahing njaba elektron ing Tambah, nalika vGS tekan a Nilai tartamtu, elektron iki ing gapura cedhak P katon landasan akehe lapisan lancip saka N-jinis, lan karo loro N + zona disambungake Nalika vGS tekan nilai tartamtu, elektron iki ing gapura cedhak katon landasan P bakal akehe a N-jinis lapisan lancip, lan disambungake menyang loro N + wilayah, ing saluran - sumber akehe N-jinis saluran konduktif, jinis konduktif lan ngelawan saka landasan P, constituting lapisan anti-jinis. vGS luwih gedhe, peran saka katon semikonduktor saka kuwat medan listrik, panyerepan saka elektron menyang njaba landasan P, liyane saluran konduktif luwih kenthel, ing ngisor resistance saluran. Sing, N-saluran MOSFET ing vGS <VT, ora bisa dadi saluran konduktif, tabung ing negara cutoff. Anggere nalika vGS ≥ VT, mung nalika komposisi saluran. Sawise saluran digawe, saiki saluran digawe kanthi nambahake voltase maju vDS antarane saluran - sumber.
Nanging Vgs terus mundhak, umpamane IRFPS40N60KVgs = 100V nalika Vds = 0 lan Vds = 400V, rong kondisi, fungsi tabung nggawa efek apa, yen diobong, sabab lan mekanisme internal proses kasebut yaiku carane nambah Vgs bakal nyuda. Rds (ing) nyuda losses ngoper, nanging ing wektu sing padha bakal nambah Qg, supaya turn-on mundhut dadi luwih gedhe, mengaruhi efficiency saka MOSFET GS voltase dening Vgg kanggo Cgs daya lan munggah, teka ing voltase pangopènan Vth. , MOSFET miwiti konduktif; MOSFET DS mundhak saiki, Millier kapasitansi ing interval amarga discharge saka DS kapasitansi lan discharge, GS kapasitansi daya ora duwe impact akeh; Qg = Cgs * Vgs, nanging daya bakal terus kanggo mbangun munggah.
Tegangan DS MOSFET mudhun menyang voltase sing padha karo Vgs, kapasitansi Milier mundhak banget, voltase drive eksternal mandheg ngisi kapasitansi Milier, voltase kapasitansi GS tetep ora owah, voltase ing kapasitansi Milier mundhak, nalika voltase ing kapasitansi DS terus suda; voltase DS MOSFET mudhun menyang voltase ing konduksi jenuh, kapasitansi Milier dadi luwih cilik Tegangan DS MOSFET mudhun menyang voltase nalika konduksi jenuh, kapasitansi Milier dadi luwih cilik lan diisi bareng karo kapasitansi GS dening drive eksternal voltase, lan voltase ing kapasitansi GS mundhak; saluran pangukuran voltase punika 3D01 domestik, 4D01, lan seri 3SK Nissan kang.
G-pole (gapura) tekad: nggunakake pindah diode saka multimeter. Yen sikil lan loro kaki liyane antarane gulung voltase positif lan negatif luwih saka 2V, sing, tampilan "1", mlaku iki gapura G. Lan banjur ngganti pen kanggo ngukur liyane saka loro kaki. gulung voltase cilik wektu iku, pen ireng disambungake menyang D-pole (saluran), pen abang disambungake menyang S-pole (sumber).
Wektu kirim: Apr-26-2024
