Dina iki ing umum digunakake dhuwur-dayaMOSFETkanggo ngenalake kanthi ringkes prinsip kerjane. Waca carane nyadari karya dhewe.
Metal-Oxide-Semiconduktor yaiku, Metal-Oxide-Semiconduktor, persis, jeneng iki nggambarake struktur MOSFET ing sirkuit terpadu, yaiku: ing struktur tartamtu saka piranti semikonduktor, ditambah karo silikon dioksida lan logam, tatanan saka gapura.
Sumber lan saluran saka MOSFET sing opposable, loro-lorone zona N-jinis kawangun ing backgate P-jinis. Umume kasus, rong wilayah kasebut padha, sanajan loro ujung pangaturan ora bakal mengaruhi kinerja piranti, piranti kasebut dianggep simetris.
Klasifikasi: miturut jinis bahan saluran lan jinis gapura terisolasi saben N-saluran lan P-saluran loro; miturut mode konduktif: MOSFET dipérang dadi panipisan lan paningkatan, saéngga MOSFET dipérang dadi penipisan lan penambahan saluran N; Penyusutan saluran P lan peningkatan saka papat kategori utama.
Prinsip operasi MOSFET - karakteristik strukturalMOSFETiku mung nindakake siji operator polaritas (polys) melu ing konduktif, yaiku transistor unipolar. Mekanisme tumindak padha karo MOSFET-daya kurang, nanging struktur wis prabédan amba, MOSFET-daya kurang minangka piranti konduktif horisontal, paling saka struktur konduktif vertikal MOSFET daya, uga dikenal minangka VMOSFET, kang nemen mbenakake MOSFET. voltase piranti lan kemampuan tahan saiki. Fitur utama yaiku ana lapisan insulasi silika ing antarane gerbang logam lan saluran, lan mulane nduweni resistensi input sing dhuwur, tabung kasebut nindakake ing rong konsentrasi zona difusi n kanggo mbentuk saluran konduktif tipe-n. MOSFET nambah n-saluran kudu Applied kanggo gapura karo bias maju, lan mung nalika voltase sumber gapura luwih saka voltase batesan saka saluran konduktif kui dening MOSFET n-saluran. MOSFET jinis pengurangan saluran n yaiku MOSFET saluran-saluran sing ngasilake saluran nalika ora ana voltase gerbang sing ditrapake (voltase sumber gerbang nol).
Prinsip operasi MOSFET yaiku ngontrol jumlah "muatan induksi" kanthi nggunakake VGS kanggo ngganti kondisi saluran konduktif sing dibentuk dening "muatan induksi", lan banjur entuk tujuan ngontrol arus saluran. Ing Pabrik tabung, liwat proses lapisan insulating ing emergence saka nomer akeh ion positif, supaya ing sisih liyane antarmuka bisa mlebu daya liyane negatif, iki biaya negatif kanggo seng nembus dhuwur impurities ing N. wilayah disambungake menyang tatanan saka saluran konduktif, malah ing VGS = 0 ana uga ID saiki bocor gedhe. nalika voltase gapura diganti, jumlah pangisian daya mlebu ing saluran uga diganti, lan jembaré saluran konduktif lan narrowness saka saluran lan owah-owahan, lan kanthi mangkono ID saiki bocor karo voltase gapura. ID saiki beda-beda gumantung karo voltase gapura.
Saiki aplikasi sakaMOSFETwis nemen nambah learning wong, efficiency karya, nalika nambah kualitas gesang kita. Kita duwe pangerten sing luwih rasional babagan iki liwat sawetara pangerten sing gampang. Ora mung bakal digunakake minangka alat, luwih pangerten saka sawijining ciri, prinsip karya, kang uga bakal menehi kita akèh fun.
Wektu kirim: Apr-18-2024
