Struktur Metal-Oxide-SemIConduktor saka transistor kristal sing umum dikenal minangkaMOSFET, ing ngendi MOSFET dipérang dadi MOSFET jinis P lan MOSFET jinis N. Sirkuit terpadu sing kasusun saka MOSFET uga disebut sirkuit terpadu MOSFET, lan sirkuit terpadu MOSFET sing raket banget dumadi saka PMOSFET lanNMOSFET diarani CMOSFET sirkuit terpadu.
MOSFET sing dumadi saka substrat tipe-p lan rong area panyebaran-n kanthi nilai konsentrasi dhuwur diarani saluran-n.MOSFET, lan saluran konduktif sing disebabake dening saluran konduktif tipe-n disebabake dening jalur panyebaran n ing rong jalur panyebaran n kanthi nilai konsentrasi dhuwur nalika tabung nglakoni. n-saluran thickened MOSFET duwe saluran n disebabake saluran konduktif nalika Bias arah positif wungu okehe ing gapura lan mung nalika operasi sumber gapura mbutuhake voltase operasi ngluwihi voltase batesan. MOSFET kurang saluran n sing ora siap kanggo voltase gapura (operasi sumber gapura mbutuhake voltase operasi saka nul). MOSFET kekurangan cahya saluran n yaiku MOSFET saluran n ing ngendi saluran konduktif disebabake nalika voltase gerbang (tegangan operasi syarat operasi sumber gerbang nol) ora disiapake.
Sirkuit terpadu NMOSFET yaiku sirkuit sumber daya MOSFET saluran N, sirkuit terpadu NMOSFET, resistensi input dhuwur banget, mayoritas ora kudu nyerna panyerepan aliran daya, lan kanthi mangkono CMOSFET lan NMOSFET sirkuit terpadu disambungake tanpa kudu njupuk menyang akun beban aliran daya.NMOSFET sirkuit terpadu, akèh-akèhé saka pilihan saka siji-kelompok positif ngoper sirkuit sumber daya sirkuit sumber daya Mayoritas sirkuit terpadu NMOSFET nggunakake siji positif ngoper power supply sirkuit sirkuit sumber daya, lan kanggo 9V kanggo liyane. Sirkuit terpadu CMOSFET mung kudu nggunakake sirkuit sumber daya switching sing padha karo sirkuit terpadu NMOSFET, bisa langsung disambungake karo sirkuit terpadu NMOSFET. Nanging, saka NMOSFET kanggo CMOSFET langsung disambungake, amarga NMOSFET output pull-up resistance kurang saka CMOSFET sirkuit terpadu keyed pull-up resistance, supaya nyoba kanggo aplikasi beda potensial narik-munggah resistor R, Nilai saka resistor R punika umume 2 kanggo 100KΩ.
Konstruksi N-channel thickened MOSFETs
Ing substrat silikon P-jinis karo nilai konsentrasi doping kurang, loro N wilayah karo Nilai konsentrasi doping dhuwur digawe, lan loro elektroda sing digambar metu saka logam aluminium kanggo ngawula minangka saluran d lan sumber s, mungguh.
Banjur ing lumahing komponèn semikonduktor masking lapisan banget lancip saka silika insulating tabung, ing saluran - sumber insulating tabung antarane saluran lan sumber elektroda aluminium liyane, minangka gapura g.
Ing landasan uga mimpin metu elektroda B, kang kasusun saka MOSFET nglukis N-saluran. MOSFET sumber lan landasan umume disambungake bebarengan, akèh-akèhé saka pipo ing pabrik wis dawa wis disambungake menyang, gapura lan elektroda liyane sing terisolasi antarane casing.
Wektu kirim: Mei-26-2024
