Apa MOSFET? Apa paramèter utama?

Nalika ngrancang sumber daya ngoper utawa motor drive sirkuit nggunakakeMOSFET, faktor kayata on-resistance, voltase maksimum, lan saiki maksimum MOS umume dianggep.

Tabung MOSFET minangka jinis FET sing bisa digawe minangka jinis tambahan utawa penipisan, saluran P utawa saluran N kanthi total 4 jinis. penambahan NMOSFET lan penambahan PMOSFET umume digunakake, lan loro iki biasane kasebut.

Iki loro sing luwih umum digunakake yaiku NMOS. alesan punika resistance konduktif cilik lan gampang kanggo Pabrik. Mulane, NMOS biasane digunakake kanggo ngalih sumber daya lan aplikasi drive motor.

Ing MOSFET, thyristor diselehake ing antarane saluran lan sumber, sing penting banget kanggo nyopir beban induktif kayata motor, lan mung ana ing MOSFET siji, ora biasane ing chip sirkuit terpadu.

Kapasitansi parasit ana ing antarane telung pin MOSFET, ora amarga kita butuh, nanging amarga watesan proses manufaktur. Ing ngarsane kapasitansi parasit ndadekake luwih rumit nalika ngrancang utawa milih sirkuit driver, nanging ora bisa nyingkiri.

 

Parameter utama sakaMOSFET

1, mbukak voltase VT

Tegangan mbukak (uga dikenal minangka voltase batesan): supaya voltase gerbang dibutuhake kanggo miwiti mbentuk saluran konduktif antarane sumber S lan saluran D; MOSFET saluran N standar, VT kira-kira 3 ~ 6V; liwat dandan proses, Nilai MOSFET VT bisa suda kanggo 2 ~ 3V.

 

2, resistensi input DC RGS

Rasio voltase ditambahake antarane kutub sumber gapura lan saiki gapura Karakteristik iki kadhangkala ditulis dening saiki gapura mili liwat gapura, MOSFET kang RGS bisa gampang ngluwihi 1010Ω.

 

3. Saluran sumber risak voltase BVDS.

Ing kondisi VGS = 0 (meningkat), ing proses nambah voltase saluran-sumber, ID mundhak banget nalika VDS disebut voltase breakdown saluran-sumber BVDS, ID mundhak banget amarga rong alasan: (1) longsor risak saka lapisan panipisan cedhak saluran, (2) risak seng nembus antarane saluran lan kutub sumber, sawetara MOSFETs, kang dawa trench luwih cendhek, nambah VDS supaya lapisan saluran ing wilayah saluran ditambahi kanggo wilayah sumber, nggawe dawa Channel punika nul, sing, kanggo gawé seng nembus saluran-sumber, seng nembus, paling saka operator ing wilayah sumber bakal langsung kepincut dening kolom listrik saka lapisan panipisan kanggo wilayah saluran, asil ing ID gedhe. .

 

4, sumber gerbang breakdown voltase BVGS

Nalika voltase gerbang tambah, VGS nalika IG tambah saka nol diarani voltase risak sumber gerbang BVGS.

 

5、Transkonduktansi frekuensi rendah

Nalika VDS minangka nilai tetep, rasio microvariation saka saiki saluran menyang microvariation saka voltase sumber gerbang sing nyebabake owah-owahan diarani transconductance, sing nuduhake kemampuan voltase sumber gerbang kanggo ngontrol arus saluran, lan minangka parameter penting sing ciri kemampuan amplifikasi sakaMOSFET.

 

6, ing-resistance RON

On-resistance RON nuduhake efek saka VDS ing ID, punika kuwalik saka slope saka garis tangent karakteristik saluran ing titik tartamtu, ing wilayah kahanan kang gawe jenuh, ID meh ora ngganti karo VDS, RON iku gedhe banget. Nilai, umume ing puluhan kilo-Ohms kanggo atusan kilo-Ohms, amarga ing sirkuit digital, MOSFETs asring dianggo ing negara saka VDS konduktif = 0, supaya ing titik iki, ing-resistance RON bisa kira-kira dening asal saka RON kanggo kira-kira, kanggo MOSFET umum, Nilai RON ing sawetara atus ohms.

 

7, kapasitansi interpolar

Kapasitas interpolar ana ing antarane telung elektrods: kapasitansi sumber gerbang CGS, kapasitansi gapura CGD lan kapasitansi sumber saluran CDS-CGS lan CGD kira-kira 1 ~ 3pF, CDS kira-kira 0.1 ~ 1pF.

 

8、Faktor gangguan frekuensi rendah

Kebisingan disebabake irregularities ing gerakan operator ing pipa. Amarga anane, voltase ora duwe aturan baku utawa variasi saiki dumadi ing output sanajan ora ana sinyal sing dikirim dening amplifier. Kinerja swara biasane ditulis ing syarat-syarat faktor gangguan NF. Unit kasebut desibel (dB). Sing luwih cilik regane, kurang swara sing diprodhuksi dening tabung. Faktor gangguan frekuensi rendah yaiku faktor gangguan sing diukur ing rentang frekuensi rendah. Faktor gangguan saka tabung efek lapangan kira-kira sawetara dB, kurang saka triode bipolar.