(1) Efek kontrol vGS ing ID lan saluran
① Kasus vGS=0
Bisa dideleng yen ana rong persimpangan PN bali-kanggo-mburi antarane saluran d lan sumber s saka mode penambahan.MOSFET.
Nalika voltase gapura-sumber vGS = 0, malah yen saluran-sumber voltase vDS ditambahake, lan preduli saka kutub vDS, tansah ana prapatan PN ing negara bias mbalikke. Ora ana saluran konduktif antarane saluran lan sumber, supaya saluran ID≈0 saiki.
② Kasus vGS>0
Yen vGS> 0, medan listrik digawe ing lapisan insulasi SiO2 antarane gapura lan substrate. Arah medan listrik tegak lurus karo medan listrik sing diarahake saka gerbang menyang substrat ing permukaan semikonduktor. Medan listrik iki ngusir bolongan lan narik elektron. Bolongan ngusir: Bolongan ing substrat P-jinis cedhak gapura diusir, ninggalake ion akseptor sing ora bisa dipindhah (ion negatif) kanggo mbentuk lapisan penipisan. Narik elektron: Elektron (pembawa minoritas) ing substrat tipe P ditarik menyang permukaan substrat.
(2) Pembentukan saluran konduktif:
Nalika Nilai vGS cilik lan kemampuan kanggo narik elektron ora kuwat, isih ana saluran konduktif antarane saluran lan sumber. Nalika vGS mundhak, luwih akeh elektron sing ditarik menyang lapisan permukaan substrat P. Nalika vGS tekan nilai tartamtu, elektron iki mbentuk lapisan tipis N-jinis ing lumahing substrat P cedhak gapura lan disambungake menyang rong wilayah N +, mbentuk N-jinis saluran konduktif antarane saluran lan sumber. Jinis konduktivitas kasebut ngelawan karo substrat P, mula uga diarani lapisan inversi. VGS sing luwih gedhe, sing luwih kuat medan listrik sing tumindak ing lumahing semikonduktor, luwih akeh elektron sing ditarik menyang permukaan substrat P, sing luwih kenthel saluran konduktif, lan sing luwih cilik resistensi saluran. Tegangan gerbang-sumber nalika saluran wiwit mbentuk disebut voltase nguripake-on, dituduhake dening VT.
IngN-saluran MOSFETrembugan ndhuwur ora bisa mbentuk saluran konduktif nalika vGS <VT, lan tabung ing negara Cut-mati. Mung nalika vGS≥VT saluran bisa dibentuk. Iki jenisMOSFETsing kudu mbentuk saluran konduktif nalika vGS≥VT diarani mode penambahanMOSFET. Sawise saluran kawangun, saiki saluran kui nalika voltase maju vDS Applied antarane saluran lan sumber. Pengaruh vDS ing ID, nalika vGS> VT lan nilai tartamtu, pengaruh saluran-sumber voltase vDS ing saluran konduktif lan ID saiki padha karo transistor efek lapangan prapatan. Gulung voltase kui dening ID saiki saluran sadawane saluran ndadekake voltase antarane saben titik ing saluran lan gapura maneh witjaksono. Tegangan ing pungkasan cedhak sumber paling gedhé, ing ngendi saluran paling kandel. Tegangan ing mburi saluran paling cilik, lan regane VGD = vGS-vDS, supaya saluran punika thinnest kene. Nanging nalika vDS cilik (vDS
Wektu kirim: Nov-12-2023
