Apa papat wilayah MOSFET?

Papat wilayah MOSFET peningkatan saluran N

(1) Wilayah resistensi variabel (uga disebut wilayah ora jenuh)

Ucs "Ucs (th) (voltase nguripake), uDs" UGs-Ucs (th), iku wilayah ing sisih kiwa tilak preclamped ing tokoh ngendi saluran diuripake. Nilai UDs cilik ing wilayah iki, lan resistance saluran Sejatine kontrol mung dening UGs. Nalika uGs wis tartamtu, ip lan uDs dadi hubungan linear, wilayah kira-kira minangka pesawat saka garis lurus. Ing wektu iki, efek lapangan tabung D, S antarane padha karo voltase UGS

Dikontrol dening voltase UGS resistance variabel.

(2) wilayah arus konstan (uga dikenal minangka wilayah jenuh, wilayah amplifikasi, wilayah aktif)

Ucs ≥ Ucs (h) lan Ubs ≥ UcsUssth), kanggo tokoh sisih tengen pra-pinch off track, nanging durung rusak ing wilayah, ing wilayah, nalika uGs kudu, ib meh ora. owah-owahan karo UDs, punika ciri pancet-saiki. i kontrol mung dening UGs, banjur MOSFETD, S padha karo kontrol uGs voltase saka sumber saiki. MOSFET digunakake ing sirkuit amplifikasi, umume ing karya MOSFET D, S padha karo voltase uGs kontrol sumber saiki. MOSFET digunakake ing sirkuit amplifikasi, umume bisa digunakake ing wilayah kasebut, uga dikenal minangka area amplifikasi.

(3) Area clip-off (uga disebut area cut-off)

Area clip-off (uga dikenal minangka area cut-off) kanggo ketemu ucs "Ues (th) kanggo tokoh cedhak sumbu horisontal wilayah, saluran kabeh clamped mati, dikenal minangka clip off lengkap, io = 0 , tabung ora bisa.

(4) lokasi zona breakdown

Wilayah risak dumunung ing wilayah ing sisih tengen gambar. Kanthi nambah UDs, prapatan PN kena voltase mbalikke lan rusak banget, ip mundhak banget. Tabung kudu dilakokno supaya supaya ora operasi ing wilayah risak. Kurva karakteristik transfer bisa diturunake saka kurva karakteristik output. Ing cara sing digunakake minangka grafik kanggo nemokake. Contone, ing Figure 3 (a) kanggo Ubs = 6V line vertikal, persimpangan sawijining karo macem-macem kurva cocog kanggo i, Nilai Uss ing ib- koordinat Uss disambungake menyang kurva, sing, kanggo njupuk kurva karakteristik transfer.

Parameter sakaMOSFET

Ana akeh paramèter saka MOSFET, kalebu paramèter DC, paramèter AC lan paramèter watesan, nanging mung paramèter utama ing ngisor iki kudu ngangap ing umum nggunakake: kebak saluran-sumber saiki IDSS jiwit-mati voltase Up, (simpangan-jinis tabung lan panipisan. -tipe insulated-gate tubes, utawa turn-on voltage UT (reinforced insulated-gate tubes), trans-conductance gm, leakage-source breakdown voltage BUDS, maksimum PDSM daya dissipated, lan maksimum saluran-sumber saiki IDSM.

(1) Arus saluran jenuh

IDSS arus jenuh yaiku arus saluran ing persimpangan utawa tipe deplesi terisolasi gerbang MOSFET nalika voltase gerbang UGS = 0.

(2) Tegangan clip-off

Tegangan jiwit-mati UP punika voltase gerbang ing MOSFET-jinis prapatan utawa panipisan-jinis terisolasi-gate sing mung ngethok mati antarane saluran lan sumber. Minangka ditampilake ing 4-25 kanggo tabung N-saluran UGS kurva ID, bisa dingerteni kanggo ndeleng pinunjul saka IDSS lan UP

MOSFET papat wilayah

(3) Nguripake tegangan

Tegangan turn-on UT punika voltase gapura ing MOSFET terisolasi-gapura dikiataken sing ndadekake inter-saluran-sumber mung konduktif.

(4) Transkonduktansi

Transconductance gm punika kemampuan kontrol voltase sumber gerbang UGS ing ID saiki saluran, IE, rasio saka owah-owahan ing ID saiki saluran kanggo owah-owahan ing voltase sumber gerbang UGS. 9m minangka parameter penting sing nimbang kemampuan amplifikasiMOSFET.

(5) Tegangan rusak sumber saluran

Sumber saluran voltase risak BUDS nuduhake voltase sumber gerbang UGS tartamtu, MOSFET operasi normal bisa nampa voltase sumber saluran maksimum. Iki minangka parameter watesan, ditambahake ing voltase operasi MOSFET kudu kurang saka BUDS.

(6) Dissipasi Daya Maksimum

Boros daya maksimum PDSM uga parameter watesan, nuduhake ingMOSFETkinerja ora deteriorate nalika boros daya sumber bocor maksimum diijini. Nalika nggunakake MOSFET konsumsi daya praktis kudu kurang saka PDSM lan ninggalake wates tartamtu.

(7) Arus Saluran Maksimum

IDSM saiki bocor maksimum minangka parameter watesan liyane, nuduhake operasi normal MOSFET, sumber bocor arus maksimum sing diidini ngliwati arus operasi MOSFET ora kudu ngluwihi IDSM.

Prinsip Operasi MOSFET

Prinsip operasi MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) yaiku nggunakake VGS kanggo ngontrol jumlah "muatan induktif", supaya bisa ngganti kondisi saluran konduktif sing dibentuk dening "muatan induktif" kasebut, banjur entuk tujuan. kanggo ngontrol arus saluran. Tujuane kanggo ngontrol arus saluran. Ing Pabrik tabung, liwat proses nggawe nomer akeh ion positif ing lapisan insulating, supaya ing sisih liyane antarmuka bisa induksi biaya liyane negatif, iki biaya negatif bisa mlebu.

Nalika voltase gapura owah-owahan, jumlah pangisian daya mlebu ing saluran uga owah-owahan, jembaré saluran konduktif uga owah-owahan, lan kanthi mangkono saluran ID saiki ngganti karo voltase gapura.

peran MOSFET

I. MOSFET bisa ditrapake kanggo amplifikasi. Amarga impedansi input dhuwur saka amplifier MOSFET, kapasitor kopling bisa dadi kapasitas sing luwih cilik, tanpa nggunakake kapasitor elektrolitik.

Kapindho, impedansi input dhuwur saka MOSFET cocok banget kanggo konversi impedansi. Biasane digunakake ing tataran input amplifier multi-tataran kanggo konversi impedansi.

MOSFET bisa digunakake minangka resistor variabel.

Papat, MOSFET bisa gampang digunakake minangka sumber arus konstan.

Kalima, MOSFET bisa digunakake minangka saklar elektronik.